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我國IC制造與先進水平鴻溝加寬(半導體行業(yè)協(xié)會9.9)

time:2016-7-20 瀏覽次數(shù):15470次    【關(guān)閉】

  近日,有消息稱受英特爾與三星等競爭壓力所致,國際ic代工制造龍頭臺積電將加快先進工藝開發(fā)量產(chǎn)步伐,除加速南科廠16納米產(chǎn)能布建之外,還將加快10納米生產(chǎn)線的建設(shè),計劃于明年下半年完成10納米的產(chǎn)品設(shè)計,2016年下半年量產(chǎn)。隨著集成電路工藝逐漸接近物理極限,技術(shù)難度加大,摩爾定律一度逐漸減慢,這也在一定程度上給了我國ic產(chǎn)業(yè)追趕國際先進水平的機會。然而,受到競爭加劇影響,業(yè)內(nèi)龍頭大廠在先進制程推進上似乎又有重新加速的跡象。這是否將導致我國大陸ic代工制造水平與國際先進水平之間的差距進一步拉大呢?

  根據(jù)臺積電在近日舉辦的法說會上發(fā)布的技術(shù)路線圖,臺積電16納米工藝預計在明年第一季度拉升至每月5萬片,由此量產(chǎn)時程可望提前至明年第二季度,比預定時間提前一個季度;10納米工藝從2013年開始進行技術(shù)開發(fā),計劃明年第一季度于中科廠建置10納米試產(chǎn)線,量產(chǎn)時程則落在2016年下半年。不過受制于euv技術(shù)的輸出率仍未達到量產(chǎn)需求,屆時10納米工藝仍將采用多重曝光的方式,并集中于12英寸晶圓廠生產(chǎn)。

  集成電路芯片制造業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的核心主體,大力發(fā)展集成電路芯片制造業(yè)一直是我國推進集成電路產(chǎn)業(yè)的重要方向之一。一直以來,在先進工藝方面,我國大陸制造技術(shù)與先進水平的差距大體相差2代。目前,中芯國際最先進的制造技術(shù)為40納米,與國際先進水平相差1.5代,實際已經(jīng)追近了一步,至少是沒有被落下。而中芯國際的28納米工藝有望于今年年底進行試量產(chǎn),明年初實現(xiàn)量產(chǎn)。這樣,與臺積電仍將保持1.5代到2代的差距(將視臺積電16納米工藝量產(chǎn)是否順利而定)。同時,中芯國際也在開發(fā)14納米、10納米的工藝技術(shù),根據(jù)計劃,預計在2016年到2017年可實現(xiàn)14納米的工藝開發(fā),順利的話可能進行試產(chǎn)。這樣算來,并沒有與先進水平拉大差距。

  其實,ic制造的競爭不僅表現(xiàn)在先進工藝的開發(fā)與量產(chǎn)上,僅僅是因為它更引人注目。實際上,我國ic制造的弱勢更多存在于設(shè)計服務(wù)能力和支持體系的不完善之上。隨著技術(shù)的發(fā)展,當前ic設(shè)計、制造、ena工具,甚至是封裝的工藝流程,有越來越多相互融合的趨勢,衡量ic制造業(yè)實力強弱的重點越來越多地體現(xiàn)在企業(yè)是否能夠建立起完整的設(shè)計服務(wù)和支持體系,是否能夠充分進行ip核的研發(fā)以滿足工藝開發(fā)需求,甚至更高地建立在對設(shè)計方法學的理解程度之上。而國內(nèi)很多ic制造廠在這些方面都存在明顯不足。這些軟硬實力的補足,才是我國ic制造企業(yè)下一步亟須強化的重點。

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